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台积电年报首提2纳米进度 去年已启动制程研发与探索性研究

发布时间:2020-04-26
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台积电21日上传股东会年报,年报中首度提到 2 纳米制程技术进展,去年领先半导体产业进行 2 纳米制程技术研发,针对 2 纳米以下技术进行探索性研究;至于 EUV 专案,去年也取得持续性进展,可加快先进技术学习速度与制程开发,将逐步迈向全面生产制造就绪。

台积电表示,每 2 年半导体运算能力增加 1 倍的摩尔定律,技术挑战日益困难,研发组织努力让台积电能够提供客户率先上市、且先进的技术和设计解决方案,帮助客户取得产品成功。

去年台积电随着 7 纳米强效版技术量产,及 5 纳米技术成功试产,台积电研发组织持续推动技术创新,以维持业界的领导地位。台积电表示,当公司采用三维电晶体第六代技术平台开发 3 纳米技术时,也已开始开发领先半导体业界的 2 纳米技术,并针对 2 纳米以下的技术进行探索性研究。

5 纳米方面,台积电表示,虽然半导体产业逼近硅晶物理极限,5 纳米制程仍遵循摩尔定律,显著提高芯片密度,在相同的功耗下,提供更好效能,或在相同效能下,提供更低功耗。目前SRAM存储器及逻辑电路良率均符合预期,已达成去年进入试产的目标。

相较 5 纳米制程技术,台积电 3 纳米制程技术大幅提升芯片密度及降低功耗,并维持相同芯片效能,今年研发着重于基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效能改善,及可靠性评估,将持续进行 3 纳米制程技术全面开发。

微影技术方面,台积电去年研发重点在 5 纳米技术转移、3 纳米技术开发与 2 纳米以下技术开发的先期准备。5 纳米技术已顺利移转,研发单位与晶圆厂合作排除极紫外光微影量产问题。

针对 3 纳米技术开发,极紫外光 (EUV) 微影技术展现优异光学能力,与符合预期的芯片良率,研发单位正致力于极紫外光技术,以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差,并降低整体成本。台积电表示,今年在 2 纳米及更先进制程上,将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

台积电表示,去年极紫外光专案在光源功率及稳定度上,有持续性进展,光源功率稳定与改善,得以加快先进技术学习速度与制程开发。此外,极紫外光光阻制程、光罩保护膜及相关光罩基板,也都展现显著进步,极紫外光技术正逐步迈向全面生产制造就绪。钜亨网